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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
69
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3249
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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