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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
69
En -214% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3929
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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