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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
69
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2660
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
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