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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
69
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3120
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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