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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
69
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2976
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905734-018.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
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