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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
69
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2078
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965589-007.D01G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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