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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
69
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.3
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
4.7
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
59
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
7.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
4.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
1421
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965640-004.C00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
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Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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