RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
69
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
51
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2720
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link