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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
69
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
55
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2185
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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