RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
69
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
57
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2328
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link