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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
69
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2341
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
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