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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
61
65
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,903.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
65
Velocidad de lectura, GB/s
4,668.9
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,903.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
735
1932
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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