RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
50
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
3226
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link