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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
50
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
2853
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
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