RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
50
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
46
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
2973
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link