RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
50
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
3364
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 99U5469-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link