RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
50
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
2494
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M393B5270DH0-YH9 4GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link