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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Kingston KF556C40-16 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston KF556C40-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KF556C40-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
50
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR5
Latencia en PassMark, ns
50
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
3458
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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