RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
50
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
2600
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link