Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 11.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.9 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 19200
    En 1.33% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    33 left arrow 50
    En -52% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    50 left arrow 33
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 11.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.9 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2512 left arrow 2284
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones