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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
58
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
58
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
1968
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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