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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
60
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
11.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
48
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2359
2852
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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