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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Compara
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
60
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
11.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
55
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2359
2699
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
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