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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Compara
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En -32% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2422
2382
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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