RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Compara
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Puntuación global
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En -6% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.9
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2824
2892
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link