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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Compara
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
35
En -13% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2767
2712
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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