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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Compara
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
35
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2767
3672
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
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Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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