RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Compara
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2767
2821
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link