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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Compara
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Kingston KVR648-PSB 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston KVR648-PSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR648-PSB 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR3
Latencia en PassMark, ns
33
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2987
2307
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KVR648-PSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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