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Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Compara
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB vs SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
38
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2434
2814
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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