RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Compara
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2404
2987
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Informar de un error
×
Bug description
Source link