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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
37
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
13.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
13.5
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
3367
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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