RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Compara
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
13.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
13.5
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
3525
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Elpida KingTiger 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link