Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Puntuación global
star star star star star
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 31
    En 23% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.2 left arrow 14.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.9 left arrow 10.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 19200
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    24 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 17.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.6 left arrow 12.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2196 left arrow 3100
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones