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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Compara
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
31
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
3100
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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