RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3754
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link