RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
38
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
17
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
22.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
4042
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Informar de un error
×
Bug description
Source link