RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2793
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link