RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
38
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
22
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3509
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link