RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3790
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link