RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
53
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
15.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
53
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2440
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link