RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
38
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3061
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link