RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
38
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
22
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3012
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link