RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
15.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3111
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link