RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
38
En -6% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2415
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link