RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3573
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Catalyst 01GN80KFUA8 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link