RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3889
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link