RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
1974
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link