RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
38
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2915
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link