RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En -9% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2457
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link