RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
38
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3158
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link